胡正明:微电子学家,美国国籍。祖籍江苏省金坛市城西马干村。1947年7月出生于中国北京。
1968年台湾大学电机系毕业,获学士学位。
1969年赴美国加州大学伯克利分校留学,1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。
胡正明是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者,。
对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为:领导研究出BSIM。
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